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面向新基建的GaN技术

2020-09-15/ 馆陶新闻网/ 查看: 214/ 评论: 10

摘要原标题:面向新基建的GaN技术新基建涵盖了广泛的领域,并对半导体电源设计提出了各种挑战。其中最大的挑战之

原标题:面向新基建的GaN技术

新基建涵盖了广泛的领域,并对半导体电源设计提出了各种挑战。其中最大的挑战之一是要找到一种以更小尺寸和更低成本提供更多电力的方法。第二个挑战是如何帮助设计师在这些竞争激烈的市场中脱颖而出。为应对这些挑战,TI提供了多种解决方案。以下我将分享有关TI GaN解决方案的更多详细信息。

午夜在线秋霞理论片本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202009/418328.htm

午夜在线秋霞理论片1 TI GaN概述:

TI的集成GaN FET可用于工业和汽车市场的各类应用。TI GaN在一个封装中集成高速栅极驱动器和保护功能,可提供优异的开关速度和低损耗。

如今,我们的GaN应用于交流/直流电源和电机驱动器、电网基础设施和汽车充电等多种应用。在所有这些应用中,TI GaN能够实现99%的效率,高达300%的功率密度,且在大多数情况下消除了强制风冷。

我们内部的硅衬底GaN工艺利用了现有的TI工艺技术节点——提供多种供应链和成本优势。与其他基于诸如SiC或蓝宝石等非硅衬底的宽带隙技术不同,TI的硅衬底GaN工艺完全利用我们的内部制造设施进行制造、组装和测试,充分利用了内部产能并实现了可靠的产品质量。

午夜在线秋霞理论片2 TI GaN应用示例

汽车充电:用于电动汽车时,尤其是车载充电器和高压DC/DC转换器中,GaN具有显著优势。汽车中使用TI高效、完全集成的GaN解决方案,可实现将OBC和DC/DC组合在一个位置的更加小巧轻便的“一体式”架构。这样不仅延长了电池续航时间,还提高了可靠性并降低了成本。

5G: GaN已在5G应用中投入生产。在5G领域,设计人员需要将这些应用的功率密度提高一倍(例如在1.5 kW空间中使用3 kW功率),或利用GaN的高工作效率来中和增加的成本并消除强制风冷的维护。

午夜在线秋霞理论片消费类电子产品: GaN正在缩小电视、手机适配器和笔记本电脑电源中电源的整体尺寸。在不远的未来,支持GaN的像帧电视的功率密度将会提高2-3倍,为我们带来更出色的视觉效果。

3 TI GaN可靠性优势

工业和汽车市场对电子元件的可靠性要求极高。TI在设备和应用可靠性方面进行了大量投资——迄今为止,已测试了超过3000万小时的应用可靠性数据。TI还是JC70的创始成员。JC70是GaN等宽带隙器件的首个JEDEC规范。另外,从TI的GaN工艺和可靠性测试到驱动器开发和封装技术,我们还致力于提供100%内部开发的GaN。这些标准旨在确保器件具有高质量和高性能,同时保持最低成本。


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